| 型号：IPB60R250CP | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 12A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 250 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3.5V @ 440µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 35nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 1200pF @ 100V |
| 功率_最大 | 104W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | P-TO263-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳兴中扬电子科技有限公司 | 张生0755-83747144 |
| 深圳市集创讯科技有限公司 | 吴小姐0755-83244680/82865294 |
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
| 深圳市源丰诚电子科技有限公司 | 朱先生0755-23919407 |
| 深圳市格雷迪电子有限公司 | 林先生15914072177 |
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
| 深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
| 深圳市中新永盛科技有限公司 | 朱小姐0755-83242762 83211840 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
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